Изобретение относится к области выращивания монокристаллов германия из расплава. Сущность изобретения заключается в осуществлении извлечения шлаков (окисные пленки) с поверхности расплава, а также и со стенок тигля ниже уровня расплава германия в тигле. Это позволяет обеспечить выход монокристаллов со значительно меньшей плотностью дислокаций, снизить риск двойникования и поликристаллизации слитка во время процесса выращивания и уменьшить среднее время рабочего цикла ростовой установки. Способ заключается в сборе большей части всех имеющихся на поверхности расплава и ниже уровня расплава в зоне его примыкания к тиглю окисных пленок путем их налипания на предварительно выращиваемый кристалл. Результат эффективной очистки расплава достигается тем, что путем регулирования скорости вращения тигля, кристалла, положения тигля в тепловом узле, а также расхода рабочего газа (аргона) достигается максимально высокая концентрация шлаков на поверхности расплава в зоне роста кристалла, что способствует их извлечению на предварительно выращиваемый кристалл. Предварительно выращиваемый кристалл подвергают 2-5 циклам резкого вытягивания с отрывом предварительного кристалла от расплава и затем его последующего полного погружения в расплав, что обеспечивает отделение шлаковых загрязнений от тигля ниже уровня расплава с последующим всплыванием их на поверхность расплава. Последующее вытягивание вверх предварительного кристалла в каждом из циклов обеспечивает сбор окисных пленок с поверхности расплава на кристаллизуемую поверхность слитка. 1 з.п. ф-лы, 2 пр.