Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается детектора лазерного излучения в ИК-диапазоне. Детектор содержит размещенный в корпусе и закреплённый в кристаллодержателе приемный элемент на основе полупроводникового монокристалла р-типа, электрически соединённые омические контакты, расположенные на противоположных концах приемного элемента, высокочастотный разъём, электрически соединенный с регистрирующим прибором, и переключатель изменения рабочей длины приемного элемента, электрически соединенный с высокочастотным разъёмом. Приемный элемент имеет длину более одного сантиметра и выполнен с возможностью размещения на нём с заданным интервалом дополнительных омических контактов. Переключатель выполнен с возможностью электрического соединения с любой парой омических контактов. Технический результат заключается в увеличении временного разрешения, обеспечении возможности детектирования лазерных импульсов в субнаносекундной области и упрощении измерительной системы. 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
