Изобретение относится к электронике, фотонике, полупроводниковой технике, получению высокочистых веществ, а также изотопно обогащенного германия, и может быть использовано при изготовлении высокочувствительных низкофоновых приемников инфракрасного излучения, матрицы элементов квантовых компьютеров, фотоприемников, высокочувствительных детекторов ионизирующих излучений, в частности, для исследований процессов двойного бета-распада. Сначала регистрируют фононное поглощение образцов изотопически чистых монокристаллов германия из ряда ⁷⁰Ge, ⁷²Ge, ⁷³Ge, ⁷⁴Ge, ⁷⁶Ge с использованием метода ИК спектроскопии. Пики фононного поглощения образцов германия фиксируют в области длин волн 11,8-33,3 мкм, соответствующих волновым числам - 300-850 см^-1. По волновому числу любого из пиков фононного поглощения в указанной области длин волн вычисляют значение М по формуле , где ϑ_n - волновое число n-го пика фононного поглощения идентифицируемого изотопически чистого монокристалла германия в области 11,8 - 33,3 мкм, n - порядковый номер пика поглощения; ϑ₀ - волновое число соответствующего n-го пика фононного поглощения для природного германия ^natGe; k - коэффициент, находящийся в диапазоне 0,0062-0,0072. Вычисленное значение М для ⁷⁰Ge составляет 70; для ⁷²Ge - 72; для ⁷³Ge - 73, для ⁷⁴Ge - 74 - для ⁷⁴Ge, для ⁷⁶Ge - 76. Изобретение позволяет осуществить экспресс-анализ объективной идентификации изотопически чистого монокристалла германия для всего ряда изотопных разновидностей германия. 3 ил., 2 табл.