Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части проводят при скоростях вращения, значения которых соответствуют числам Рейнольдса 100-150. В указанном режиме на поверхности расплава образуется система двух обращающихся вокруг кристалла диаметрально противоположных конвективных ячеек переохлажденного расплава более темного цвета, чем остальная поверхность. Далее с периодом 600-800 с применяют реверсивное изменение направления вращения затравки с кристаллом на противоположное в течение всего времени вытягивания. Равномерное уменьшение скорости вращения, переключение направления вращения, также как и равномерное увеличение скорости вращения до прежнего абсолютного значения, осуществляют за время 200-240 с. Реверсивное вращение приводит к периодическому разрушению застойной области расплава под центральной - приосевой частью поверхности растущего кристалла, что обеспечивает более равномерное распределение примесей и других структурных дефектов по радиусу кристалла. Изобретение позволяет улучшить структурное совершенство и однородность монокристаллов парателлурита и изготавливаемых из них элементов оптических и акустооптических устройств. 2 ил., 2 пр.