07.02.2024
2813191
170100, Тверская обл., г. Тверь, ул. Желябова, 33, ФГБОУ ВО "Тверской государственный университет", Смирнов Сергей Николаевич
Изобретение относится материаловедению и может быть использовано при изготовлении электродов для аккумуляторных литиевых батарей, полупроводниковых слоёв в приборах и интегральных схемах и фотопреобразователях. Сначала осуществляют подготовку кристаллографически ориентированной пластины монокристаллического германия путём её резки, шлифовки и полировки. Затем пластину подвергают термическому травлению при температуре 600°С в условиях низкого вакуума 10-5 Па в течение 20 ч при температурном градиенте 2°С/см. Сформированная пористая структура на поверхности монокристаллического германия имеет заданную геометрию и свободна от оксида германия. 3 ил.